MOSFET-单 TPH1R204PL,L1Q 晶体管-FET
发布时间：2018/3/27
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSIX-H
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 500μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 74nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 960mW（Ta）, 132W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.24 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳 8-PowerVDFN
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