安富利TK7J90E,S1E晶体管 - FET，MOSFET - 单
发布时间：2018/3/22
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 π-MOSVIII
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 700μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 3.5A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3P（N）
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
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