安富利IPD90N06S4L05ATMA1晶体管 - FET，MOSFET - 单
发布时间：2018/3/22
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 Digi-Key 停止供應
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 60μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 107W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.6 毫欧 @ 90A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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