安富利STGB7H60DF晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
发布时间：2018/3/21
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 14A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 28A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.95V @ 15V，7A
功率 - 最大值 88W
开关能量 99μJ（开），100μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 46nC
25°C 时 Td（开/关）值 30ns/160ns
测试条件 400V，7A，47 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 136ns
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装 TO-263（D2Pak）
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