厂家直销欢迎来电05N03LA集成电路IC
发布时间：2018/3/8
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPP05N03LA
描述 MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包装 ? 管件 ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3110pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.9 毫欧 @ 55A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
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