专业生产APT10078BLLGP集成电路IC
发布时间：2018/3/5
制造商
Microsemi Corporation
制造商零件编号
APT10078BLLG
描述 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 19 周
详细描述 通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 7?
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 95nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2525pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 403W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 780 毫欧 @ 7A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247 [B]
封装/外壳 TO-247-3
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