质优原装现货NDB5060集成电路IC
发布时间：2018/1/24
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NDB5060L
描述 MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 42 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 26A（Tc） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 5V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 840pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 68W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 13A，10V
工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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