制造商

Nexperia USA Inc. 
 

制造商零件编号
 
NX3008PBKMB,315
 

描述
MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN 

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 

湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）

详细描述

 表面贴装 P 沟道 30V 300mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）

系列
-  

包装 ?
带卷（TR） ?  

零件状态
在售  

FET 类型
P 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
30V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
300mA（Ta）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.72nC @ 4.5V  

Vgs（最大值）
±8V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
46pF @ 15V  

FET 功能
-  

功率耗散（最大值）
360mW（Ta），2.7W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V  

工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型
表面贴装  

供应商器件封装
3-DFN1006B（0.6x1）  

封装/外壳
3-XFDFN 

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