制造商

ON Semiconductor 
 

制造商零件编号
 
NTS4101PT1G
 

描述
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 

湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）

制造商标准提前期
36 周  

详细描述

 表面贴装 P 沟道 20V 1.37A（Ta） 329mW（Ta） SC-70-3（SOT323） 

系列
-  

包装 ?
带卷（TR） ?  

零件状态
在售  

FET 类型
P 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
20V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.37A（Ta）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9nC @ 4.5V  

Vgs（最大值）
±8V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
840pF @ 20V  

FET 功能
-  

功率耗散（最大值）
329mW（Ta）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
120 毫欧 @ 1A，4.5V  

工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型
表面贴装  

供应商器件封装
SC-70-3（SOT323）  

封装/外壳
SC-70，SOT-323 

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