BSP52T1G ON分立半导体产品
发布时间：2017/11/10
Digi-Key 零件编号 BSP52T1GOSTR-ND
检查提前期
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
BSP52T1G
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A
电压 - 集射极击穿（最大值） 80V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 1.3V @ 500μA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值） 10μA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V
功率 - 最大值 800mW
频率 - 跃迁 -
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
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