SI7440DP-T1 VISHAY分立半导体产品
发布时间：2017/11/7
Digi-Key 零件编号 SI7440DP-T1-E3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7440DP-T1-E3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 过期
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.5 毫欧 @ 21A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
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? 中国半导体业的发展有它的独特规律，通常生产线的产能爬坡速率缓慢，用时相对久些，也即需要如“接力棒式”传递。但是中国半导体业发展在任何时候必须要充满信心，坚持到底，因为我们有国家层面的支持，是全球其它地区无法比及的，所以相信中国半导体业一定会取得最后的成功。?