IRF8910TRPBF IR分立半导体产品
发布时间：2017/8/31
Digi-Key 零件编号 IRF8910PBFTR-ND
检查提前期
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF8910TRPBF
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 13.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.55V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 960pF @ 10V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
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