SIRA58ADP-T1-RE3 MOSFET
发布时间：2020/5/25
SIRA58ADP-T1-RE3规格：
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:109 A
Rds On-漏源导通电阻:2.65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
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SIRA58ADP-T1-RE3产品图片：
